在电子学中，栅栏效应（Barrier Effect）是指在半导体器件的栅极和沟道之间形成一个能带势垒的现象。这种势垒会阻止电子在沟道中的自由运动，从而控制器件的电流流动。
栅栏效应是场效应晶体管（FET）工作原理的关键之一。场效应晶体管有一个栅极，通过在栅极上施加电压可以控制沟道中电子的浓度。当栅极电压为零或负电压时，沟道中电子浓度较低，处于截止状态，几乎没有电流通过。而当施加正电压到栅极时，栅极与沟道之间形成的势垒降低，使得电子更容易流动，处于导通状态，电流可以通过。
栅栏效应是场效应晶体管能够实现放大和开关功能的关键原理。通过控制栅极电压，可以在沟道中形成电子的“栅栏”，从而控制电流的流动，实现对信号的放大和开关控制。场效应晶体管广泛应用于各种电子设备中，包括集成电路、放大器、开关和逻辑门等。
除了在场效应晶体管中的应用，栅栏效应也在其他半导体器件中起着重要作用，如二极管和光电二极管等。它是半导体器件的基本原理之一，为现代电子技术的发展做出了重要贡献。